Beschichtungsanlagen für die Plasma-CVD

Diese Beschichtungsanlagen wurden mit der Zielstellung entwickelt Beschichtungen allein auf der Basis von Plasma-CVD-Prozessen zu realisieren. (Plasma-CVD ist die Abkürzung für Plasma Chemical Vapor Deposition, plasmagestützte chemische Gasphasenabscheidung, synonyme Abk. PCVD, PECVD, PACVD) . Dabei bilden die im Plasma erzeugten Molekülfragmente verschiedener Gase die Bausteine der wachsenden Schicht. Es werden also sämtliche Schichten - sowohl die Haft- als auch die Funktionsschicht - aus der Gasphase abgeschieden. So ist ein vergleichsweise einfaches und robustes Design dieser Plasma-Vakuum Beschichtungsanlage möglich. Daraus resultieren kürzere Prozesszeiten und geringere Kosten für die PCVD-Beschichtung als beim Einsatz metallischer Haftschichten. Mit dem PCVD Verfahren werden Schichten aus DLC, seinen Modifikationen DLC:Si und DLC:F (fluoriertes DLC), Siliziumkarbid SiC und Siliziumoxid SiO2 hergestellt. Der Verzicht auf eine metallische Haftschicht ist besonders bei der Beschichtung verschiedener Plastikmaterialien, Keramiken oder Gläser sowie bei weichen Nichteisenmetallen wie Aluminium sinnvoll. Des weiteren ist die Anlage für Plasmaätzprozesse verschiedener Metalle, Keramiken und Gläsern mithilfe Fluor enthaltender Gase sowie der Plasmaaktivierung von Kunststoffen zur Haftungsvermittlung für andere Beschichtungen oder von Lacken ausgelegt.