Hochgradig c-Achsen orientiertes (texturiertes) Aluminiumnitrid AlN

Schichten aus mikrokristallinem Aluminiumnitrid weisen einen ausgeprägten piezoelektrischen Effekt auf. Dazu muß eine spezifische bevorzugte Kristalllorientierung während des Wachstums erzeugt werden - die sogenannte c-Achsen Orientierung. Durch die geeignete Wahl der Prozeßparameter bei der Sputter-Deposition werden vollständig c-Achsen orientierte Schichten bei Temperaturen von nur 550 Kelvin abgeschieden. Diese Schichten eignen sich vorzüglich zur Herstellung von Sensoren oder elektronischen Bauelementen wie den sogenannten SAW (surface acoustic wave) -devices. Nachfolgend finden Sie eine Auswahl kristallographischer und optischer Eigenschaften dieser Schichten: Röntgendiffraktogramme für AlN-Schichten hergestellt unter Variation des Parameters X optisches Transmissionsspektrum einer ca. 2 µm dicken AlN-Schicht Prozedur zur Bestimmung des optischen Bandlücke dieser Schicht nach TAUC